XBC300 Gen2 D2W/W2W

  一、創(chuàng)基于200mm和300mm襯底的混合鍵合一體設備

  新型的 XBC300 Gen2 D2W/W2W 設備是世界上將所有現(xiàn)有混合鍵合工藝集成到單一設備中的平臺： W2W、集體 D2W 和順序 D2W。XBC300 Gen2 D2W/W2W 是蘇斯微技術公司與高精度倒裝芯片鍵合機供應商 SET Corporation SA 合作開發(fā)的成果。與傳統(tǒng)的獨立式 W2W 和 D2W 平臺相比，XBC300 Gen2 D2W/W2W 的占地面積顯著減少。投資成本大大降低，因為在獨立系統(tǒng)中冗余的工藝模塊只使用一次。XBC300 Gen2 D2W/W2W 是一個功能強大、高度靈活的通用平臺，可提高混合鍵合工藝的開發(fā)，適用于系統(tǒng)級芯片 (SoC) 和堆疊集成電路 (SIC) 等高級三維堆疊應用與我們的合作伙伴 SET 密切合作開發(fā)。

二、 XBC300 Gen2 D2W/W2W 專為研發(fā)線或 RTOs（研發(fā)和技術組織）的需求量身定制，這些研發(fā)機構或 RTOs 期望首先專注于一種工藝，但同時希望在未來開發(fā)更多的混合鍵合工藝。所有工藝開發(fā)都采用類似的核心技術，并配有用于 D2W 和 W2W 的專用獨立系統(tǒng)。這樣就可以方便可靠地從研發(fā)轉向小批量和大批量生產(chǎn)。

  三、除了具有業(yè)界的 < +/- 50nm 對準精度的 W2W 鍵合所需工藝模塊外，XBC300Gen2 D2W/W2W 還具有技術合作伙伴 SET Corporation SA 提供的集成 NEO HB 芯片鍵合機，可提供 +/-100nm 的對準精度。高精度和吞吐量優(yōu)化的測量模塊可在線驗證所有工藝中 W2W 和 D2W 鍵合的對準精度。XBC300Gen2 D2W/W2W 以 XBC300 Gen2 為基礎，可處理框架載體上的超薄微芯片。

  四、支持的粘合技術:

1.混合鍵合:混合鍵合指的是兩種金屬層的熱壓鍵合與熔融鍵合混合進行的鍵合方法。該工藝過程中會同時產(chǎn)生一種電力（金屬鍵合）和機械力熔融鍵合。

2.熱鍵合:熱鍵合是指兩個平面基板自發(fā)粘合。 該工藝包括沖洗拋光盤，使其具備高度親水性，然后使其相互接觸并在高溫下回火。

等離子體預處理工藝可使基板在室溫條件下鍵合。

  五、模塊詳細情況 :

1.MHU 物料輸送裝置:該系統(tǒng)可將單個基板運送到單個工藝模塊。它提供不同配置的裝載工位以及基于攝像頭的光學預對準器，并可選配 ID 讀取器。選配的攝像系統(tǒng)可監(jiān)控和記錄機器內(nèi)部情況。帶有自動產(chǎn)量優(yōu)化功能的循環(huán)調度算法可確保所有工序的時間安排一致，并具備連續(xù)運行能力。

2.XBA 鍵合對準器:XBA 鍵合對準器采用我們專有的基底間對準 (ISA) 技術，可為透明或非透明基底提供一致的亞微米對準精度。內(nèi)置的固定基準、全局校準和疊加驗證確保了的可重復性。全局校準晶片是系統(tǒng)不可分割的一部分，使自動校準和疊加驗證變的簡單快捷。W2W 鍵合采用蘇斯微技術公司的工藝，以高度受控和可重復的方式進行。

3.清洗模塊:清洗模塊具有許多關鍵功能，是實現(xiàn)清潔度要求的一部分，例如兆聲清洗和濕化學功能（例如 NH4OH (<2 %)）。此外，該系統(tǒng)還可配備增強型可選功能，如有機物去除功能（SC1 化學清洗）、背面沖洗、氧化銅去除和 N2 輔助吹干，以進一步滿足加工需求。

4.活化模塊:等離子活化技術為基于等離子體的高效基底表面活化提供了的工藝靈活性和可重復性?？墒褂?Ar、O?、N? 等各種工藝氣體，并通過質量流量控制器 (MFC) 進行控制。通過門閥加載，可以符合 CMOS 標準。適當選擇等離子體化學成分，還可以對聚合物殘留物進行等離子體清洗。

5.低力度鍵合室:如果對鍵合力有要求，XBS300可搭備我們經(jīng)業(yè)界認可的300mm低力度鍵合室，施加高達15kN的鍵合力。 如今，這種鍵合室廣泛應用于臨時鍵合行業(yè)中。

6.集成測量模塊:

集成的原位測量功能可實現(xiàn)快速工藝反饋。 因此，該測量模塊對于增強工藝控制和提高產(chǎn)量至關重要。 該模塊可配置用于紅外空洞檢測（高分辨率真實全場圖像）和/或高精度紅外套刻測量，在高處理量下具備多站點功能。

通過對鍵合對準器補償參數(shù)的閉環(huán)反饋實現(xiàn)的在線工藝控制還能持續(xù)優(yōu)化套刻性能。

7.芯片鍵合機:SET Corporation SA 的 NEO HB 是的倒裝芯片鍵合機，適用于各種幾何形狀的芯片。業(yè)界的清潔度和對準性能確保了高速的 D2W 傳輸操作。極低的芯片間距（低至 40µm）可在需要時在目標基板上實現(xiàn)高芯片密度。蘇斯微技術公司和 SET 攜手合作，優(yōu)化系統(tǒng)性能，為客戶提供靈活的系統(tǒng)解決方案，滿足未來需求。